0 0 0
  8. SISS72DN-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SISS72DN-T1-GE3

 
SISS72DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778412
Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; польовий; 150В; 20,4А; Idm: 50А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
113.38 грн
5+
102.28 грн
13+
81.67 грн
34+
76.91 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
150В(1441538)
Струм стока
20,4А(1887995)
Опір в стані провідності
42мОм(1478970)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
42,1Вт(1960038)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
22нКл(1479158)
Технологія
ThunderFET(1714476) TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
50А(1758516)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SISS72DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778412
Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; польовий; 150В; 20,4А; Idm: 50А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
113.38 грн
5+
102.28 грн
13+
81.67 грн
34+
76.91 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
150В
Струм стока
20,4А
Опір в стані провідності
42мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
42,1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
22нКл
Технологія
ThunderFET
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
50А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g