0 0 0
  8. SISS73DN-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SISS73DN-T1-GE3

 
SISS73DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 794775
Транзистор: P-MOSFET; ThunderFET; польовий; -150В; -12,9А; 42,1Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
97.98 грн
5+
87.62 грн
15+
70.10 грн
40+
66.11 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
-150В(1478961)
Струм стока
-12,9А(1960095)
Опір в стані провідності
0,125Ом(1737453)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
42,1Вт(1960038)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
22нКл(1479158)
Технологія
ThunderFET(1714476) TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-30А(1811033)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом P SMD SISS73DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 794775
Транзистор: P-MOSFET; ThunderFET; польовий; -150В; -12,9А; 42,1Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
97.98 грн
5+
87.62 грн
15+
70.10 грн
40+
66.11 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
-150В
Струм стока
-12,9А
Опір в стані провідності
0,125Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
42,1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
22нКл
Технологія
ThunderFET
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-30А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g