0 0 0
  8. SISS80DN-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SISS80DN-T1-GE3

 
SISS80DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778498
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 169А; Idm: 300А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
126.35 грн
5+
112.84 грн
12+
90.59 грн
31+
85.82 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
169А(1492234)
Опір в стані провідності
3мОм(1479566)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
42Вт(1607949)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
122нКл(1701221)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-8...12В(1979762)
Струм стоку в імпульсі
300А(1714520)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SISS80DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778498
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 169А; Idm: 300А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
126.35 грн
5+
112.84 грн
12+
90.59 грн
31+
85.82 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
169А
Опір в стані провідності
3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
42Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
122нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-8...12В
Струм стоку в імпульсі
300А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g