0 0 0
  8. SIUD401ED-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SIUD401ED-T1-GE3

 
SIUD401ED-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 842636
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -500мА; Idm: -1А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
12.14 грн
25+
10.30 грн
100+
9.18 грн
120+
8.63 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-0,5А(1645023)
Опір в стані провідності
3,5Ом(1441512)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
1,25Вт(1702038)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
2нКл(1609793)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-1А(1908876)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом P SMD SIUD401ED-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 842636
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -500мА; Idm: -1А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
12.14 грн
25+
10.30 грн
100+
9.18 грн
120+
8.63 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-0,5А
Опір в стані провідності
3,5Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
1,25Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
2нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-1А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g