0 0 0
  8. SIUD403ED-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SIUD403ED-T1-GE3

 
SIUD403ED-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 842644
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -500мА; 1,25Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
10+
5.91 грн
100+
5.08 грн
240+
4.23 грн
655+
3.99 грн
Мін. замовлення: 10
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-0,5А(1645023)
Опір в стані провідності
4,4Ом(1588137)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
1,25Вт(1702038)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
1,7нКл(1636487)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-0,8А(1709889)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом P SMD SIUD403ED-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 842644
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -500мА; 1,25Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
10+
5.91 грн
100+
5.08 грн
240+
4.23 грн
655+
3.99 грн
Мін. замовлення: 10
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-0,5А
Опір в стані провідності
4,4Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
1,25Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
1,7нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-0,8А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g