0 0 0
  8. SIUD412ED-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIUD412ED-T1-GE3

 
SIUD412ED-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 847125
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 12В; 500мА; Idm: 1,5А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.60 грн
25+
7.54 грн
100+
6.75 грн
160+
6.27 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
12В(1441274)
Струм стока
0,5А(1643334)
Опір в стані провідності
2,5Ом(1441402)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
1,25Вт(1702038)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
0,71нКл(1993133)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
1,5А(1709863)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIUD412ED-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 847125
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 12В; 500мА; Idm: 1,5А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.60 грн
25+
7.54 грн
100+
6.75 грн
160+
6.27 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
12В
Струм стока
0,5А
Опір в стані провідності
2,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
1,25Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
0,71нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
1,5А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g