0 0 0
  8. SIZ270DT-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIZ270DT-T1-GE3

 
SIZ270DT-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 847004
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 100В; 19,5А; 33Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
62.64 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
19,5А(1790436)
Опір в стані провідності
54,1/51,7мОм(1985961)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
33Вт(1595255)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
27нКл(1479063)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
40А(1748037)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIZ270DT-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 847004
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 100В; 19,5А; 33Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
62.64 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
19,5А
Опір в стані провідності
54,1/51,7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
33Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
27нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
40А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g