0 0 0
  8. SIZ300DT-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIZ300DT-T1-GE3

 
SIZ300DT-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 847087
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 28/11А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
51.64 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
28/11А(1985962)
Опір в стані провідності
16,5/32мОм(1985965)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
31/16,7Вт(1985964)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
22/12нКл(1985966)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
40...30А(1985963)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIZ300DT-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 847087
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 28/11А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
51.64 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
28/11А
Опір в стані провідності
16,5/32мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
31/16,7Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
22/12нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
40...30А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g