0 0 0
  8. SIZ340ADT-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIZ340ADT-T1-GE3

 
SIZ340ADT-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 846975
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 33,4/69,7А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
34.26 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
33,4/69,7А(1985971)
Опір в стані провідності
14,4/6,2мОм(1985973)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
16,7/31Вт(1985968)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
27,9/12,2нКл(1985974)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Струм стоку в імпульсі
100...150А(1985972)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIZ340ADT-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 846975
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 33,4/69,7А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
34.26 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
33,4/69,7А
Опір в стані провідності
14,4/6,2мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
16,7/31Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
27,9/12,2нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
100...150А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g