0 0 0
  8. SIZ340BDT-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIZ340BDT-T1-GE3

 
SIZ340BDT-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 846912
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 36/69,3А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
27.97 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
36/69,3А(1985975)
Опір в стані провідності
14,03/6,7мОм(1985976)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
16,7/31Вт(1985968)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
23,5/12,6нКл(1985977)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Струм стоку в імпульсі
100...150А(1985972)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIZ340BDT-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 846912
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 36/69,3А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
27.97 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
36/69,3А
Опір в стані провідності
14,03/6,7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
16,7/31Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
23,5/12,6нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
100...150А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g