0 0 0
  8. SIZ350DT-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIZ350DT-T1-GE3

 
SIZ350DT-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 847049
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 30А; Idm: 100А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
50.14 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
30А(1441514)
Опір в стані провідності
9,44мОм(1985986)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
16,7Вт(1742017)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
20,3нКл(1775134)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Струм стоку в імпульсі
100А(1758515)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIZ350DT-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 847049
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 30А; Idm: 100А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
50.14 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
30А
Опір в стані провідності
9,44мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
16,7Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
20,3нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
100А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g