0 0 0
  8. SIZ902DT-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIZ902DT-T1-GE3

 
SIZ902DT-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 846928
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 16А; 29/66Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
71.52 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
16А(1441522)
Опір в стані провідності
14,5/8,3мОм(1985998)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
29/66Вт(1985997)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
21/65нКл(1985999)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
50...80А(1985996)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIZ902DT-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 846928
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 16А; 29/66Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
71.52 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
16А
Опір в стані провідності
14,5/8,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
29/66Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
21/65нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
50...80А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g