0 0 0
  8. SIZ926DT-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIZ926DT-T1-GE3

 
SIZ926DT-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 846896
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 25В; 40/60А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
59.60 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
25В(1441346)
Струм стока
40/60А(1986006)
Опір в стані провідності
7,9/3,35мОм(1986009)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
20,2/40Вт(1986008)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
19/41нКл(1986010)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Струм стоку в імпульсі
100...170А(1986007)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIZ926DT-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 846896
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 25В; 40/60А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
59.60 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
25В
Струм стока
40/60А
Опір в стані провідності
7,9/3,35мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
20,2/40Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
19/41нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
100...170А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g