Транзистори багатоканальні SIZ980BDT-T1-GE3

 
SIZ980BDT-T1-GE3
 
Артикул: 846934
Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; польовий; 30В
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
73.10 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
54,8/197А(1986011)
Опір в стані провідності
7,12/1,72мОм(1986014)
Тип транзистора
N-MOSFET x2 + Schottky(1811165)
Потужність розсіювання
20/66Вт(1986013)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
18/79нКл(1986015)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Струм стоку в імпульсі
90...130А(1986012)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори багатоканальні SIZ980BDT-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 846934
Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; польовий; 30В
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
73.10 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
54,8/197А
Опір в стані провідності
7,12/1,72мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2 + Schottky
Потужність розсіювання
20/66Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
18/79нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
90...130А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g