0 0 0
  7. SIZF906DT-T1-GE3

Транзистори багатоканальні SIZF906DT-T1-GE3

 
SIZF906DT-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 846917
Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; польовий; 30В
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
92.12 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
60А(1441312)
Опір в стані провідності
5,3/1,58мОм(1986028)
Тип транзистора
N-MOSFET x2 + Schottky(1811165)
Потужність розсіювання
38/83Вт(1986027)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
49/200нКл(1986029)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Струм стоку в імпульсі
80...100А(1942296)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори багатоканальні SIZF906DT-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 846917
Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; польовий; 30В
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
92.12 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
60А
Опір в стані провідності
5,3/1,58мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2 + Schottky
Потужність розсіювання
38/83Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
49/200нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
80...100А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g