0 0 0
  7. SIZF916DT-T1-GE3

Транзистори багатоканальні SIZF916DT-T1-GE3

 
SIZF916DT-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 846980
Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; польовий; 30В
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
71.51 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
40/60А(1986006)
Опір в стані провідності
6,8/1,75мОм(1986034)
Тип транзистора
N-MOSFET x2 + Schottky(1811165)
Потужність розсіювання
26,6/60Вт(1986031)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
22/95нКл(1986035)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Струм стоку в імпульсі
130...110А(1986030)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори багатоканальні SIZF916DT-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 846980
Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; польовий; 30В
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
71.51 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
40/60А
Опір в стані провідності
6,8/1,75мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2 + Schottky
Потужність розсіювання
26,6/60Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
22/95нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
130...110А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g