0 0 0
  8. SQ1421EDH-T1_GE3

Транзистори з каналом P SMD SQ1421EDH-T1_GE3

 
SQ1421EDH-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 140950
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1А; 0,5Вт; SC70-6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
38.94 грн
10+
30.91 грн
25+
27.50 грн
70+
14.30 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2760 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SC70-6(1491172)
Напруга сток-джерело
-60В(1492224)
Струм стока
-1А(1492341)
Опір в стані провідності
0,29Ом(1492417)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
0,5Вт(1507575)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
3,6нКл(1609779)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,023 g
 
Транзистори з каналом P SMD SQ1421EDH-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 140950
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1А; 0,5Вт; SC70-6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
38.94 грн
10+
30.91 грн
25+
27.50 грн
70+
14.30 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2760 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SC70-6
Напруга сток-джерело
-60В
Струм стока
-1А
Опір в стані провідності
0,29Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
0,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
3,6нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,023 g