0 0 0
  8. SQ1431EH-T1_GE3

Транзистори з каналом P SMD SQ1431EH-T1_GE3

 
SQ1431EH-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 842596
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -3А; Idm: -12А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
57.35 грн
5+
27.08 грн
25+
24.38 грн
50+
20.31 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061) SC70-6(1491172)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-3А(1492259)
Опір в стані провідності
0,3Ом(1492261)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
3Вт(1487308)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
6,5нКл(1619508)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-12А(1801470)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом P SMD SQ1431EH-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 842596
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -3А; Idm: -12А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
57.35 грн
5+
27.08 грн
25+
24.38 грн
50+
20.31 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Корпус
SC70-6
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-3А
Опір в стані провідності
0,3Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
3Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
6,5нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-12А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g