0 0 0
  8. SQ2309ES-T1_GE3

Транзистори з каналом P SMD SQ2309ES-T1_GE3

 
SQ2309ES-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 860510
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -1,7А; Idm: -6,8А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
40.73 грн
5+
23.96 грн
25+
21.16 грн
54+
18.61 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
-60В(1492224)
Струм стока
-1,7А(1492257)
Опір в стані провідності
704мОм(1986082)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
2Вт(1507429)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
8,5нКл(1479414)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-6,8А(1986081)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g
 
Транзистори з каналом P SMD SQ2309ES-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 860510
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -1,7А; Idm: -6,8А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
40.73 грн
5+
23.96 грн
25+
21.16 грн
54+
18.61 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
-60В
Струм стока
-1,7А
Опір в стані провідності
704мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
8,5нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-6,8А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g