Транзистори з каналом N SMD SQ2318AES-T1_GE3

 
SQ2318AES-T1_GE3
 
Артикул: 077423
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 4,6А; 1Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
41.32 грн
10+
33.53 грн
50+
27.17 грн
56+
17.88 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1149 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
40В(1441244)
Струм стока
4,6А(1479139)
Опір в стані провідності
31мОм(1479141)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
1Вт(1487288)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
8,7нКл(1479416)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,023 g
 
Транзистори з каналом N SMD SQ2318AES-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 077423
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 4,6А; 1Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
41.32 грн
10+
33.53 грн
50+
27.17 грн
56+
17.88 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1149 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
40В
Струм стока
4,6А
Опір в стані провідності
31мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
8,7нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,023 g