0 0 0
  8. SQ2337ES-T1_GE3

Транзистори з каналом P SMD SQ2337ES-T1_GE3

 
SQ2337ES-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 140953
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -80В; -1,3А; 1Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
62.93 грн
5+
32.02 грн
25+
28.28 грн
41+
24.61 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 4148 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
-80В(1536865)
Струм стока
-1,3А(1636485)
Опір в стані провідності
0,29Ом(1492417)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
1Вт(1487288)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
11,8нКл(1738126)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,027 g
 
Транзистори з каналом P SMD SQ2337ES-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 140953
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -80В; -1,3А; 1Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
62.93 грн
5+
32.02 грн
25+
28.28 грн
41+
24.61 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 4148 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
-80В
Струм стока
-1,3А
Опір в стані провідності
0,29Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
11,8нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,027 g