0 0 0
  8. SQ2361AEES-T1_GE3

Транзисторы с каналом P SMD SQ2361AEES-T1_GE3

 
SQ2361AEES-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 947637
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,8А; Idm: -11А; 0,67Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
82.63 грн
10+
71.03 грн
25+
62.13 грн
39+
25.74 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
-60В(1492224)
Струм стока
-2,8А(1610014)
Опір в стані провідності
315мОм(1811059)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Використання
automotive industry(1821825)
Потужність розсіювання
0,67Вт(1811175)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
15нКл(1479067)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-11А(1810552)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SQ2361AEES-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 947637
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,8А; Idm: -11А; 0,67Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
82.63 грн
10+
71.03 грн
25+
62.13 грн
39+
25.74 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
-60В
Струм стока
-2,8А
Опір в стані провідності
315мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Використання
automotive industry
Потужність розсіювання
0,67Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
15нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-11А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g