0 0 0
  8. SQ2364EES-T1_GE3

Транзистори з каналом N SMD SQ2364EES-T1_GE3

 
SQ2364EES-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 077424
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,3А; 1Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
68.34 грн
5+
34.96 грн
25+
30.83 грн
38+
26.94 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1664 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
1,3А(1492332)
Опір в стані провідності
245мОм(1790167)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
1Вт(1487288)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
2нКл(1609793)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g
 
Транзистори з каналом N SMD SQ2364EES-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 077424
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,3А; 1Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
68.34 грн
5+
34.96 грн
25+
30.83 грн
38+
26.94 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1664 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
1,3А
Опір в стані провідності
245мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
2нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g