0 0 0
  8. SQ2389ES-T1_GE3

Транзистори з каналом P SMD SQ2389ES-T1_GE3

 
SQ2389ES-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 947641
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -4,1А; Idm: -16А; 1Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
72.68 грн
10+
62.06 грн
25+
54.79 грн
45+
22.52 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2948 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
-40В(1441467)
Струм стока
-4,1А(1492348)
Опір в стані провідності
169мОм(1811071)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Використання
automotive industry(1821825)
Потужність розсіювання
1Вт(1487288)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
12нКл(1479115)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-16А(1742153)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,022 g
 
Транзистори з каналом P SMD SQ2389ES-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 947641
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -4,1А; Idm: -16А; 1Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
72.68 грн
10+
62.06 грн
25+
54.79 грн
45+
22.52 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2948 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
-40В
Струм стока
-4,1А
Опір в стані провідності
169мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Використання
automotive industry
Потужність розсіювання
1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
12нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-16А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,022 g