0 0 0
  8. SQ2398ES-T1_GE3

Транзисторы с каналом N SMD SQ2398ES-T1_GE3

 
SQ2398ES-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 860648
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 1,6А; Idm: 2,5А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
56.41 грн
5+
47.99 грн
25+
28.76 грн
49+
20.18 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
1,6А(1479099)
Опір в стані провідності
720мОм(1609930)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
2Вт(1507429)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
3,4нКл(1633426)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
2,5А(1810539)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SQ2398ES-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 860648
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 1,6А; Idm: 2,5А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
56.41 грн
5+
47.99 грн
25+
28.76 грн
49+
20.18 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
1,6А
Опір в стані провідності
720мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
3,4нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
2,5А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g