0 0 0
  8. SQ3419EV-T1_GE3

Транзистори з каналом P SMD SQ3419EV-T1_GE3

 
SQ3419EV-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 405903
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -6,9А; Idm: -27А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
48.47 грн
10+
40.28 грн
25+
30.67 грн
47+
21.14 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOP6(1492290)
Напруга сток-джерело
-40В(1441467)
Струм стока
-6,9А(1492462)
Опір в стані провідності
86мОм(1801462)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Використання
automotive industry(1821825)
Потужність розсіювання
1,6Вт(1449364)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
11,3нКл(1636384)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-27А(1741677)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом P SMD SQ3419EV-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 405903
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -6,9А; Idm: -27А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
48.47 грн
10+
40.28 грн
25+
30.67 грн
47+
21.14 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TSOP6
Напруга сток-джерело
-40В
Струм стока
-6,9А
Опір в стані провідності
86мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Використання
automotive industry
Потужність розсіювання
1,6Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
11,3нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-27А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g