0 0 0
  8. SQ3427EV-T1_GE3

Транзистори з каналом P SMD SQ3427EV-T1_GE3

 
SQ3427EV-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 860511
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -5,3А; Idm: -21А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
60.70 грн
5+
39.93 грн
25+
35.94 грн
37+
27.71 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2625 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOP6(1492290)
Напруга сток-джерело
-60В(1492224)
Струм стока
-5,3А(1479053)
Опір в стані провідності
178мОм(1811073)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
5Вт(1520960)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
22нКл(1479158)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-21А(1811072)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,039 g
 
Транзистори з каналом P SMD SQ3427EV-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 860511
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -5,3А; Idm: -21А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
60.70 грн
5+
39.93 грн
25+
35.94 грн
37+
27.71 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2625 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TSOP6
Напруга сток-джерело
-60В
Струм стока
-5,3А
Опір в стані провідності
178мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
22нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-21А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,039 g