0 0 0
  8. SQ3457EV-T1_GE3

Транзистори з каналом P SMD SQ3457EV-T1_GE3

 
SQ3457EV-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 842633
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -6,8А; Idm: -27А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
59.10 грн
5+
36.42 грн
25+
32.75 грн
37+
27.24 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOP6(1492290)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-6,8А(1479039)
Опір в стані провідності
0,1Ом(1492330)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
5Вт(1520960)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
21нКл(1478964)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-27А(1741677)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом P SMD SQ3457EV-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 842633
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -6,8А; Idm: -27А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
59.10 грн
5+
36.42 грн
25+
32.75 грн
37+
27.24 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TSOP6
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-6,8А
Опір в стані провідності
0,1Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
21нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-27А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g