0 0 0
  8. SQ3481EV-T1_BE3

Транзистори з каналом P SMD SQ3481EV-T1_BE3

 
SQ3481EV-T1_BE3
 
VISHAY
Артикул: 842643
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -7,5А; Idm: -30А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
24.36 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOP6(1492290)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-7,5А(1643366)
Опір в стані провідності
70мОм(1441497)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
4Вт(1449365)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
23,5нКл(1609983)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-30А(1811033)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом P SMD SQ3481EV-T1_BE3
VISHAY
Артикул: 842643
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -7,5А; Idm: -30А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
24.36 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TSOP6
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-7,5А
Опір в стані провідності
70мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
4Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
23,5нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-30А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g