0 0 0
  8. SQ4153EY-T1_GE3

Транзистори з каналом P SMD SQ4153EY-T1_GE3

 
SQ4153EY-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 140956
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -14А; 2,3Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
139.07 грн
5+
126.36 грн
11+
95.36 грн
29+
90.60 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2466 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
-12В(1478988)
Струм стока
-14А(1478996)
Опір в стані провідності
8,32мОм(1738139)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
2,3Вт(1449544)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
151нКл(1479549)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,148 g
 
Транзистори з каналом P SMD SQ4153EY-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 140956
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -14А; 2,3Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
139.07 грн
5+
126.36 грн
11+
95.36 грн
29+
90.60 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2466 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
-12В
Струм стока
-14А
Опір в стані провідності
8,32мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
2,3Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
151нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,148 g