0 0 0
  7. SQ4940AEY-T1_GE3

Транзистори багатоканальні SQ4940AEY-T1_GE3

 
SQ4940AEY-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 529458
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 5,3А; Idm: 32А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
69.85 грн
5+
62.87 грн
20+
53.18 грн
53+
50.01 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 448 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
40В(1441244)
Струм стока
5,3А(1492487)
Опір в стані провідності
29мОм(1479159)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Використання
automotive industry(1821825)
Потужність розсіювання
1,3Вт(1449369)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
43нКл(1479408)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
32А(1789198)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,115 g
 
Транзистори багатоканальні SQ4940AEY-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 529458
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 5,3А; Idm: 32А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
69.85 грн
5+
62.87 грн
20+
53.18 грн
53+
50.01 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 448 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
40В
Струм стока
5,3А
Опір в стані провідності
29мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Використання
automotive industry
Потужність розсіювання
1,3Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
43нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
32А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,115 g