0 0 0
  8. SQ7414CENW-T1_GE3

Транзистори з каналом N SMD SQ7414CENW-T1_GE3

 
SQ7414CENW-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 860647
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 18А; Idm: 72А; 62Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
56.70 грн
5+
46.64 грн
25+
40.89 грн
28+
36.02 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
18А(1479247)
Опір в стані провідності
50мОм(1441532)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
62Вт(1708587)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
25нКл(1479056)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
72А(1789194)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SQ7414CENW-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 860647
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 18А; Idm: 72А; 62Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
56.70 грн
5+
46.64 грн
25+
40.89 грн
28+
36.02 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
18А
Опір в стані провідності
50мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
62Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
25нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
72А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g