0 0 0
  8. SQA411CEJW-T1_GE3

Транзистори з каналом P SMD SQA411CEJW-T1_GE3

 
SQA411CEJW-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 842627
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -6,46А; Idm: -20А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
15.66 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
-60В(1492224)
Струм стока
-6,46А(1986084)
Опір в стані провідності
326,1мОм(1986085)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
13,6Вт(1741788)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
15,5нКл(1609978)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-20А(1741687)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом P SMD SQA411CEJW-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 842627
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -6,46А; Idm: -20А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
15.66 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
-60В
Струм стока
-6,46А
Опір в стані провідності
326,1мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
13,6Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
15,5нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-20А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g