0 0 0
  8. SQA470EEJ-T1_GE3

Транзисторы с каналом N SMD SQA470EEJ-T1_GE3

 
SQA470EEJ-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 077426
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,25А; 13,6Вт; PowerPAK® SC70
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
67.53 грн
5+
25.58 грн
25+
22.64 грн
51+
19.67 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SC70(1737249)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
2,25А(1737250)
Опір в стані провідності
56мОм(1479311)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
13,6Вт(1741788)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
4,1нКл(1633292)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SQA470EEJ-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 077426
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,25А; 13,6Вт; PowerPAK® SC70
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
67.53 грн
5+
25.58 грн
25+
22.64 грн
51+
19.67 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SC70
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
2,25А
Опір в стані провідності
56мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
13,6Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
4,1нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g