0 0 0
  8. SQD100N04-3M6L-GE3

Транзистори з каналом N SMD SQD100N04-3M6L-GE3

 
SQD100N04-3M6L-GE3
 
VISHAY
Артикул: 846897
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 100А; Idm: 400А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
2000+
92.19 грн
Мін. замовлення: 2000
Кратність: 2000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO252(1441587)
Напруга сток-джерело
40В(1441244)
Струм стока
100А(1479496)
Опір в стані провідності
7мОм(1441318)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
136Вт(1740748)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
130нКл(1479431)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
400А(1714521)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SQD100N04-3M6L-GE3
VISHAY
Артикул: 846897
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 100А; Idm: 400А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
2000+
92.19 грн
Мін. замовлення: 2000
Кратність: 2000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TO252
Напруга сток-джерело
40В
Струм стока
100А
Опір в стані провідності
7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
136Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
130нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
400А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g