0 0 0
  8. SQD30N05-20L_GE3

Транзистори з каналом N SMD SQD30N05-20L_GE3

 
SQD30N05-20L_GE3
 
VISHAY
Артикул: 846962
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 55В; 30А; Idm: 120А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
2000+
60.54 грн
Мін. замовлення: 2000
Кратність: 2000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO252(1441587)
Напруга сток-джерело
55В(1441361)
Струм стока
30А(1441514)
Опір в стані провідності
43мОм(1479149)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
50Вт(1520816)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
18нКл(1479041)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
120А(1741681)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SQD30N05-20L_GE3
VISHAY
Артикул: 846962
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 55В; 30А; Idm: 120А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
2000+
60.54 грн
Мін. замовлення: 2000
Кратність: 2000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TO252
Напруга сток-джерело
55В
Струм стока
30А
Опір в стані провідності
43мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
50Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
18нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
120А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g