0 0 0
  8. SQD45P03-12_GE3

Транзистори з каналом P SMD SQD45P03-12_GE3

 
SQD45P03-12_GE3
 
VISHAY
Артикул: 140960
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -37А; 23Вт; DPAK,TO252
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
116.03 грн
5+
104.90 грн
13+
80.26 грн
35+
75.50 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-37А(1738143)
Опір в стані провідності
10мОм(1441308)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
23Вт(1507402)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
55,3нКл(1738144)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g
 
Транзистори з каналом P SMD SQD45P03-12_GE3
VISHAY
Артикул: 140960
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -37А; 23Вт; DPAK,TO252
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
116.03 грн
5+
104.90 грн
13+
80.26 грн
35+
75.50 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-37А
Опір в стані провідності
10мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
23Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
55,3нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g