0 0 0
  8. SQJ126EP-T1_GE3

Транзистори з каналом N SMD SQJ126EP-T1_GE3

 
SQJ126EP-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 846930
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 500А; Idm: 776А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
71.52 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
500А(1714526)
Опір в стані провідності
2мОм(1479588)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
500Вт(1701905)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
152нКл(1743005)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
776А(1985930)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SQJ126EP-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 846930
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 500А; Idm: 776А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
71.52 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
500А
Опір в стані провідності
2мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
500Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
152нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
776А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g