0 0 0
  8. SQJ170ELP-T1_GE3

Транзистори з каналом N SMD SQJ170ELP-T1_GE3

 
SQJ170ELP-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 846887
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 63А; Idm: 66А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
40.85 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
63А(1479411)
Опір в стані провідності
34мОм(1441517)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
136Вт(1740748)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
12нКл(1479115)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
66А(1742462)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SQJ170ELP-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 846887
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 63А; Idm: 66А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
40.85 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
63А
Опір в стані провідності
34мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
136Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
12нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
66А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g