0 0 0
  8. SQJ402EP-T1_GE3

Транзистори з каналом N SMD SQJ402EP-T1_GE3

 
SQJ402EP-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 077431
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 32А; 83Вт; PowerPAK® SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
104.90 грн
5+
93.77 грн
14+
72.32 грн
39+
68.34 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
32А(1441566)
Опір в стані провідності
11мОм(1441289)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
83Вт(1702256)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
34нКл(1479140)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,6 g
 
Транзистори з каналом N SMD SQJ402EP-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 077431
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 32А; 83Вт; PowerPAK® SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
104.90 грн
5+
93.77 грн
14+
72.32 грн
39+
68.34 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
32А
Опір в стані провідності
11мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
83Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
34нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,6 g