Транзистори з каналом P SMD SQJ409EP-T1_BE3

 
SQJ409EP-T1_BE3
 
Артикул: 842603
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -60А; Idm: -150А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
60.54 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
-40В(1441467)
Струм стока
-60А(1693696)
Опір в стані провідності
12,6мОм(1479443)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
68Вт(1708591)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
260нКл(1479537)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-150А(1952566)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом P SMD SQJ409EP-T1_BE3
VISHAY
Артикул: 842603
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -60А; Idm: -150А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
60.54 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
-40В
Струм стока
-60А
Опір в стані провідності
12,6мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
68Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
260нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-150А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g