0 0 0
  8. SQJ431AEP-T1_BE3

Транзистори з каналом P SMD SQJ431AEP-T1_BE3

 
SQJ431AEP-T1_BE3
 
VISHAY
Артикул: 842599
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -200В; -9,4А; Idm: -60А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
74.08 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
-200В(1441458)
Струм стока
-9,4А(1926702)
Опір в стані провідності
763мОм(1986087)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
68Вт(1708591)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
85нКл(1479544)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-60А(1811034)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом P SMD SQJ431AEP-T1_BE3
VISHAY
Артикул: 842599
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -200В; -9,4А; Idm: -60А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
74.08 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
-200В
Струм стока
-9,4А
Опір в стані провідності
763мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
68Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
85нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-60А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g