0 0 0
  8. SQJ459EP-T1_BE3

Транзистори з каналом P SMD SQJ459EP-T1_BE3

 
SQJ459EP-T1_BE3
 
VISHAY
Артикул: 842613
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -52А; Idm: -200А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
58.95 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
-60В(1492224)
Струм стока
-52А(1714009)
Опір в стані провідності
31мОм(1479141)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
83Вт(1702256)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
108нКл(1479604)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-200А(1810493)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом P SMD SQJ459EP-T1_BE3
VISHAY
Артикул: 842613
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -52А; Idm: -200А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
58.95 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
-60В
Струм стока
-52А
Опір в стані провідності
31мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
83Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
108нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-200А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g