0 0 0
  8. SQM100P10-19L_GE3

Транзисторы с каналом P SMD SQM100P10-19L_GE3

 
SQM100P10-19L_GE3
 
VISHAY
Артикул: 1170355
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -53А; 125Вт; D2PAK,TO263
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
248.69 грн
5+
224.06 грн
6+
172.41 грн
16+
162.88 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напруга сток-джерело
-100В(1478949)
Струм стока
-53А(1738146)
Опір в стані провідності
19мОм(1441301)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
125Вт(1701920)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
0,22мкКл(1950537)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SQM100P10-19L_GE3
VISHAY
Артикул: 1170355
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -53А; 125Вт; D2PAK,TO263
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
248.69 грн
5+
224.06 грн
6+
172.41 грн
16+
162.88 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напруга сток-джерело
-100В
Струм стока
-53А
Опір в стані провідності
19мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
125Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
0,22мкКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g