0 0 0
  8. SQS141ELNW-T1_GE3

Транзистори з каналом P SMD SQS141ELNW-T1_GE3

 
SQS141ELNW-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 842637
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -79А; Idm: -227А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
39.88 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
-40В(1441467)
Струм стока
-79А(1986088)
Опір в стані провідності
19мОм(1441301)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
119Вт(1741921)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
141нКл(1695264)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-227А(1986089)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом P SMD SQS141ELNW-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 842637
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -79А; Idm: -227А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
39.88 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
-40В
Струм стока
-79А
Опір в стані провідності
19мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
119Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
141нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-227А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g