0 0 0
  8. SQS142ENW-T1_GE3

Транзистори з каналом N SMD SQS142ENW-T1_GE3

 
SQS142ENW-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 846937
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 110А; Idm: 271А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
32.46 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
40В(1441244)
Струм стока
110А(1479508)
Опір в стані провідності
9,5мОм(1479384)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
113Вт(1740787)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
35нКл(1479287)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
271А(1985933)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SQS142ENW-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 846937
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 110А; Idm: 271А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
32.46 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
40В
Струм стока
110А
Опір в стані провідності
9,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
113Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
35нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
271А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g