Транзистори з каналом P SMD SQS401EN-T1_GE3

 
SQS401EN-T1_GE3
 
Артикул: 405912
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -16А; Idm: -64А; 20Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
56.41 грн
5+
46.08 грн
25+
40.36 грн
28+
36.07 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
-40В(1441467)
Струм стока
-16А(1478990)
Опір в стані провідності
51мОм(1596107)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Використання
automotive industry(1821825)
Потужність розсіювання
20Вт(1618043)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
21,2нКл(1811077)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-64А(1811076)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g
 
Транзистори з каналом P SMD SQS401EN-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 405912
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -16А; Idm: -64А; 20Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
56.41 грн
5+
46.08 грн
25+
40.36 грн
28+
36.07 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
-40В
Струм стока
-16А
Опір в стані провідності
51мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Використання
automotive industry
Потужність розсіювання
20Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
21,2нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-64А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g