0 0 0
  8. SQSA82CENW-T1_GE3

Транзистори з каналом N SMD SQSA82CENW-T1_GE3

 
SQSA82CENW-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 846910
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 12А; Idm: 35А; 27Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
21.70 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
80В(1441260)
Струм стока
12А(1441370)
Опір в стані провідності
97,1мОм(1985934)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
27Вт(1626689)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
9,6нКл(1479383)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
35А(1789211)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SQSA82CENW-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 846910
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 12А; Idm: 35А; 27Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
21.70 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
80В
Струм стока
12А
Опір в стані провідності
97,1мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
27Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
9,6нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
35А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g