0 0 0
  8. SUD08P06-155L-GE3

Транзистори з каналом P SMD SUD08P06-155L-GE3

 
SUD08P06-155L-GE3
 
VISHAY
Артикул: 842638
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -8,2А; Idm: -18А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
59.10 грн
5+
50.47 грн
25+
44.57 грн
26+
39.62 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1695 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напруга сток-джерело
-60В(1492224)
Струм стока
-8,2А(1492314)
Опір в стані провідності
0,35Ом(1492258)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
20,8Вт(1741969)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
19нКл(1479054)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-18А(1786524)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,417 g
 
Транзистори з каналом P SMD SUD08P06-155L-GE3
VISHAY
Артикул: 842638
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -8,2А; Idm: -18А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
59.10 грн
5+
50.47 грн
25+
44.57 грн
26+
39.62 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1695 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напруга сток-джерело
-60В
Струм стока
-8,2А
Опір в стані провідності
0,35Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
20,8Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
19нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-18А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,417 g