0 0 0
  8. SUD09P10-195-BE3

Транзистори з каналом P SMD SUD09P10-195-BE3

 
SUD09P10-195-BE3
 
VISHAY
Артикул: 842618
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -100В; -8,8А; Idm: -15А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
2000+
41.18 грн
Мін. замовлення: 2000
Кратність: 2000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напруга сток-джерело
-100В(1478949)
Струм стока
-8,8А(1492363)
Опір в стані провідності
0,21Ом(1737419)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
32,1Вт(1811078)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
34,8нКл(1633652)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-15А(1741670)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом P SMD SUD09P10-195-BE3
VISHAY
Артикул: 842618
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -100В; -8,8А; Idm: -15А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
2000+
41.18 грн
Мін. замовлення: 2000
Кратність: 2000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напруга сток-джерело
-100В
Струм стока
-8,8А
Опір в стані провідності
0,21Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
32,1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
34,8нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-15А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g